与芯片

高级内存缓冲区（AMB）芯片是服务器和高性能计算机内存系统的关键芯片。

为了满足不断增长的性能和容量要求，新一代存储器系统引入了全缓冲双列直插式存储器模块（FB-DIMM）架构。

FB-DIMM内存架构以AMB芯片为核心，通过高速，串行和点对点接口与内存控制器和其他FB-DIMM进行通信，解决了速度和容量的问题。

传统的并行存储器架构很难平衡。

服务器和高性能计算机的性能取得了质的飞跃，但也带来了能源问题。

由于AMB是整个服务器中耗电量最大的设备之一，并且对AMB的需求很大（AMB的数量通常是处理器的16-32倍），因此AMB的功耗在服务器和整个计算机上数据。

中心的功耗非常重要：AMB的功耗降低，服务器的功耗会降低多倍，反之亦然。

由于AMB芯片设计的高技术门槛和低功耗设计的难度，参与这类产品开发的IC设计公司很少见。

1. ARM7系列针对低功耗32位内核进行了优化，适用于对价格和功耗敏感的消费类应用，包括：嵌入式ICE-RT逻辑;功耗极低;三级流水线和冯诺依曼架构，提供0.9 MIPS / MHz。

2. SecurCore SC100专为安全市场设计，具有特定的抗篡改和抗工程能力。

它还具有灵活的保护单元，以确保操作系统和应用程序数据的安全性。

3，ARM9系列高性能，低功耗领先的硬宏单元：5段流水线;哈佛架构提供1.1MIPS / MHz。

ARM920T和ARM922T具有内置的全性能MMU，指令和数据缓存以及高速AMBA总线接口。

AMBA片上总线是一种开放标准，已成为SoC构建和IP库开发的标准。

所有新的ARM内核现在都支持AMBA先进的高性能总线（AHB）接口，提供完全集成的设计系统。

ARM940T具有内置指令和数据高速缓存，保护单元和高速AMBA总线接口。

4，ARM9E系列可合成处理器具有DSP扩展和紧耦合存储器（TCM）接口，允许存储器以全速处理器运行，可直接连接到内核。

ARM966E-S非常适用于缓存不需要硅尺寸的实时嵌入式应用。

可以配置TCM大小：0,4K，8K，16K，最高64M。

ARM946E-S具有集成保护单元，可为实时嵌入式操作系统提供缓存核心解决方案。

ARM926ET-S具有Jazelle扩展，独立的指令和数据高速AHB接口以及全性能MMU。

VFP9向量浮点可合成协处理器进一步增强了ARM9E处理器的性能，并为浮点运算提供硬件支持。

5，ARM10系列硬宏单元，具有：64位AHB指令和数据接口; 6级管道; 1.25MIPS /兆赫;性能比同等的ARM9设备高50％。

两种新的先进节能方法导致异常低的功耗。

VFP10协处理器提供高性能浮点解决方案，完全符合ARM10器件。

在FB-DIMM系统中，有两种类型的串行线：一种是负责数据写入的串行线（称为Southbound，South），另一种是负责数据读取的串行线（称为Northbound，North District）。

这两个串行线分别负责“传递”。

和“通过＆amp; amp; amp;合并＆QUOT; AMB芯片中的控制逻辑。

在南部和北部地区传输的数据流都是串行格式，但AMB芯片和存储器芯片仍然通过64位传输数据（注意：位宽不固定），因此数据在数据之间交换。

串行到并行转换由AMB中的转换逻辑实现。

同时，AMB中有一个数据总线接口，用于连接存储器芯片。

使用AMB芯片，这意味着FB-DIMM不需要更改现有的DRAM芯片，内存制造商可以直接使用低成本的DDR2芯片。

虽然使用新的缓冲芯片会增加一些成本，但它比制造新的RAM芯片要便宜得多。